诺奖杂谈。

恭喜中村修二,读研时候就听师长们评价中村的发明是诺奖级的。

话说半导体器件领域获得诺贝尔奖的有不少,包括点接触和结型双极晶体管的发明人John Bardeen, Walter Brattain和William Shockley,隧道二极管的发明人江崎玲于奈Esaki Reona,集成电路的发明人之一Jack Kilby(可惜另一位发明人Intel创始人Robert Noyce其时已经去世),异质结半导体器件的发明人Zhores Alferov和Herbert Kroemer等。

这样看的话,同样重量级的如(具备实用能力的)MOSFET的发明人Martin Atalla和江大原Dawon Kahng(韩裔美籍,已故),非挥发性半导体存储器件(NVSM,如FLASH)的发明人施敏Simon Sze(台裔美籍)和Dawon Kahng(与前述MOSFET发明人为同一人),FINFET发明人胡正明(台裔美籍),除Dawon Kahng已去世多年,其他几位未来也是有可能接到电话的。祝尚健在的前辈们健康长寿。

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GraveDiggaz 半导体器件工程师 GraveDiggaz的新浪微博 发表于 2014-10-07 23:41

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